Maskless selective growth and doping of n-GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam
Maskless selective growth and doping of n-GaAs using a low energy Sn-Ga focused ion beam
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使用低能 Sn-Ga 聚焦离子束进行 n-GaAs 无掩模选择性生长和掺杂
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Pak
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Suzuki;K. Nobuhara;H. Takeda;M. Mokhtar;K. Pak
