High Performance Graphene–Oxide–Metal Diode through Bias‐Induced Barrier Height Modulation
High Performance Graphene–Oxide–Metal Diode through Bias‐Induced Barrier Height Modulation
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通过偏置诱导势垒高度调制的高性能石墨烯-氧化物-金属二极管
DOI：
10.1002/aelm.201600223
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发表时间：
2016
影响因子：
6.2
通讯作者：
K. Kern
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Urcuyo;D. Duong;H. Jeong;M. Burghard;K. Kern
参考 EPFL-ARTICLE-223319doi:10.1002/aelm.201600223在 Web of Science 中查看记录 记录创建于 2016-11-21，修改于 2017-05-12
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