Improvement of multilayer graphene (MLG) / n-GaN Schottky diode properties fabricated with transfer-free deposition of MLG on n-GaN by solid-phase reaction
Improvement of multilayer graphene (MLG) / n-GaN Schottky diode properties fabricated with transfer-free deposition of MLG on n-GaN by solid-phase reaction
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通过固相反应在 n-GaN 上无转移沉积 MLG 来改善多层石墨烯 (MLG)/n-GaN 肖特基二极管的性能
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Uddin Md. Sahab and Ueno Kazuyoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Ichikawa;K. Ueno;Uddin Md. Sahab and Ueno Kazuyoshi
