Integrated dual-color InGaN light-emitting diode array through transfer printing
Integrated dual-color InGaN light-emitting diode array through transfer printing
复制标题
通过转移印刷集成双色InGaN发光二极管阵列
DOI：
10.1109/ipcon.2015.7323572
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Dawson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Rae;E. Xie;A. Trindade;B. Guilhabert;R. Ferreira;J. McKendry;D. Zhu;N. Laurand;E. Gu;I. Watson;C. Humphreys;D. Wallis;M. Dawson
我们展示了一个集成的双色InGaN发光二极管（LED）阵列，通过在蓝宝石衬底上预处理的绿色LED阵列的像素之间从其硅生长衬底转移打印蓝色LED结构。
We demonstrate an integrated dual-color InGaN light-emitting diode (LED) array by transfer printing blue LED structures from their silicon growth substrate in between the pixels of a pre-processed green LED array on a sapphire substrate.
影响因子：
4.7
作者：
McKendry, Jonathan J. D.;Massoubre, David;Dawson, Martin D.
通讯作者：
Dawson, Martin D.