アクティブゲート制御によるMOSFETの出力容量と浮遊インダクタンスの共振抑制効果の解析
アクティブゲート制御によるMOSFETの出力容量と浮遊インダクタンスの共振抑制効果の解析
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有源栅极控制对MOSFET输出电容和杂散电感的谐振抑制效果分析
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山口大輝，佐藤伸二，八尾惇，佐藤弘
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Kato;and F. Kitayama;長沼大樹，加藤雅之;山口大輝，佐藤伸二，八尾惇，佐藤弘
