Formation of Strained Ge-on-Insulator (GOI) Substrates using SiGe Etching Stop Layers
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使用 SiGe 蚀刻停止层形成应变绝缘体上 Ge (GOI) 衬底
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kentarou Sawano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuuki Yajima;Yuta Ariyama;Kentarou Sawano
