Low-Damage Etching of Nitride Semiconductors Utilizing Photo-Electrochemical Reactions
Low-Damage Etching of Nitride Semiconductors Utilizing Photo-Electrochemical Reactions
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利用光电化学反应对氮化物半导体进行低损伤蚀刻
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Taketomo Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小川 泰信;野澤 悟徳;田中 良昌;橋本 大志;大山 伸一郎;津田 卓雄;藤原 均;西村 耕司;宮岡 宏;中村 卓司;藤井 良一;Haggstrom Ingemar;Heinselman Craig;Taketomo Sato
