H. Matsunami: "Quantitative Analysis for CH3 Radicals in Low-Temperature Growth of 3C-SiC on Si(001) Clean Surface" Japanese Journal of Applied Physics. 34. L1117-L1120 (1995)
H. Matsunami: "Quantitative Analysis for CH3 Radicals in Low-Temperature Growth of 3C-SiC on Si(001) Clean Surface" Japanese Journal of Applied Physics. 34. L1117-L1120 (1995)
复制标题
H. Matsunami：“在 Si(001) 清洁表面上低温生长 3C-SiC 时 CH3 自由基的定量分析”日本应用物理学杂志。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
