AlGaAs中間層及びSi_3N_4反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上
AlGaAs中間層及びSi_3N_4反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上
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引入AlGaAs中间层和Si_3N_4减反射膜提高透射型GaAs/GaAsP应变超自旋极化光电阴极的量子效率
DOI:
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发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
他
中科院分区:
文献类型:
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作者:
金;竹田;他