Strain relaxation of graded SiGe buffers grown at very high rates
Strain relaxation of graded SiGe buffers grown at very high rates
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以非常高的速率生长的分级 SiGe 缓冲器的应变松弛
DOI：
10.1016/s0921-5107(99)00343-8
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发表时间：
2000
影响因子：
3.6
通讯作者：
H. Känel
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Rosenblad;J. Stangl;E. Müller;G. Bauer;H. Känel
