SINGLE DOMAIN GROWTH OF LAYERED In2Se3 ON Si(111) AS AN INTERMEDIATE BUFFER LAYER IN GaAs ON Si
SINGLE DOMAIN GROWTH OF LAYERED In2Se3 ON Si(111) AS AN INTERMEDIATE BUFFER LAYER IN GaAs ON Si
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Si(111) 上层状 In2Se3 作为 Si 上 GaAs 中间缓冲层的单域生长
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masafumi Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nobuaki Kojima; Li Wang; Yoshio Ohshita; Masafumi Yamaguchi
