Normally-off recessed-gate ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with regrown AlGaN barrier
Normally-off recessed-gate ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with regrown AlGaN barrier
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具有再生长 AlGaN 势垒的常关凹进栅极 ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMT
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masaaki Kuzuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Itsuki Nagase;Joel T. Asubar;Rui Shan Low;Shun Urano;Hirokuni Tokuda;Akio Yamamoto;Masaaki Kuzuhara
