Evaluation of Radiation Hardness for Nitride Semiconductor
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氮化物半导体的辐射硬度评价
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Yoshida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Narita;Y. Chiba;D. Ichinose;T. Hitora;E. Yamaguchi;Y. Sakemi;T. Itoh;H. Yoshida
