Geiger Mode Ge-on-Si Single-Photon Avalanche Diode Detectors

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DOI：
10.1109/group4.2019.8853918
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发表时间：
2019-08
期刊：
2019 IEEE 16th International Conference on Group IV Photonics (GFP)
影响因子：
--
通讯作者：
G. Buller;D. Dumas;Z. Greener;J. Kirdoda;K. Kuzmenko;R. Millar;M. Mirza;D. Paul;P. Vines
G. Buller;D. Dumas;Z. Greener;J. Kirdoda;K. Kuzmenko;R. Millar;M. Mirza;D. Paul;P. Vines
中科院分区：
其他
文献类型：
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作者：
G. Buller;D. Dumas;Z. Greener;J. Kirdoda;K. Kuzmenko;R. Millar;M. Mirza;D. Paul;P. Vines

文献摘要

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Ge-on-Si单光子雪崩二极管（SPAD）探测器在125 K温度下工作时，对1310 nm波长的单光子探测效率高达38%.在名义上相同的工作条件下，与InGaAs/InP SPAD相比，这些器件表现出减少的后脉冲。
Ge-on-Si single-photon avalanche diode (SPAD) detectors have demonstrated a high single-photon detection efficiency of 38% at a wavelength of 1310 nm when operated at a temperature of 125 K. These devices exhibit reduced afterpulsing compared to InGaAs/InP SPADs under nominally identical operating conditions.