Junctions for Deep Sub-100 NM MOS: How Far will Ion Implantation Take Us?
Junctions for Deep Sub-100 NM MOS: How Far will Ion Implantation Take Us?
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深度低于 100 NM MOS 的结：离子注入将带我们走多远？
DOI：
10.1557/proc-610-b1.2
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
P. Keys
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Gossmann;C. Rafferty;P. Keys
