Origin of p-type conductivity in layered nGeTe center dot mSb(2)Te(3) chalcogenide semiconductors
Origin of p-type conductivity in layered nGeTe center dot mSb(2)Te(3) chalcogenide semiconductors
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层状 nGeTe 中心点 mSb(2)Te(3) 硫族化物半导体中 p 型导电性的起源
DOI：
10.1103/physrevb.83.113201
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发表时间：
2011-03
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ahuja, Rajeev
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sun, Zhimei;Pan, Yuanchun;Zhou, Jian;Sa, Baisheng;Ahuja, Rajeev
国家自然科学基金中国[60976005]；福建省杰出青年科学家中国基金[2010J06018]；新世纪高校优秀人才培养计划[NCET-08-0474]
National Natural Science Foundation of China [60976005]; Outstanding Young Scientists Foundation of Fujian Province of China [2010J06018]; program for New Century Excellent Talents in University [NCET-08-0474]