Anodic dissolution of solid‐state sintered silicon carbide at high current densities
Anodic dissolution of solid‐state sintered silicon carbide at high current densities
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高电流密度下固态烧结碳化硅的阳极溶解
DOI：
10.1002/maco.201609219
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Michaelis
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Schneider;N. Schubert;A. Michaelis
研究了固体烧结碳化硅在碱性溶液中高电流密度下的电化学行为。使用的动电位以及计时电流测量表明，阳极溶解下形成的亚稳态钝化层发生作为一个过钝化机制。在高极化电位（~ 150 V）下，主要形成在表面上的钝化层的介电击穿在高电流密度下引发烧结碳化硅的阳极溶解。补充材料诊断（光学显微镜和SEM/EDX研究）清楚地显示了显着的材料去除以及剩余的氧化层比原生氧化膜厚。
The electrochemical behavior of solid‐sintered silicon carbide was investigated under high current densities in alkaline solutions. The use of potentiodynamic as well as chronoamperometric measurements show that the anodic dissolution takes place as a transpassive mechanism under formation of a metastable passive layer. At high polarization potentials (≈150 V), the dielectric breakdown of the passive layer which was primarily formed on the surface initiates an anodic dissolution of sintered silicon carbide at high current densities. Complementary material diagnostics (optical microscopy and SEM/EDX investigation) clearly show significant material removal as well as remaining oxide layer thicker than the native oxide film.
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DOI：
--
发表时间：
1973
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Landolt
通讯作者：
D. Landolt
DOI：
10.1002/maco.201106283
发表时间：
2013
期刊：
Materials and Corrosion
影响因子：
--
作者：
Herrmann;Kleebe;Michaelis
通讯作者：
Michaelis
渗硅碳化硅陶瓷在水溶液中的电化学腐蚀
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Herrmann;K. Sempf;K. Kremmer;M. Schneider;A. Michaelis
通讯作者：
A. Michaelis
用于大电流密度下材料表面研究的新型微池或微反应器
影响因子：
6.6
作者：
M. Lohrengel;C. Rosenkranz;I. Klüppel;A. Moehring;H. Bettermann;B.Van den Bossche;J. Deconinck
通讯作者：
J. Deconinck
用于滑动轴承和密封圈的烧结碳化硅
DOI：
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发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Knoch;M. Fundus
通讯作者：
M. Fundus