Room‐temperature 2.78 μm AlGaAsSb/InGaAsSb quantum‐well lasers
Room‐temperature 2.78 μm AlGaAsSb/InGaAsSb quantum‐well lasers
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室温 2.78 μm AlGaAsSb/InGaAsSb 量子阱激光器
DOI：
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发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Connolly
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hao Lee;P. York;R. Menna;R. Martinelli;D. Garbuzov;S. Narayan;J. Connolly
我们描述了室温2.78 μ mAlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器。在15 °C下观察到脉冲激光器操作，阈值电流为1.1A（10 kA/cm 2），最大功率输出为30 mW，最大微分量子效率为9%。激光器的脉冲工作温度高达60 °C，在0-40 °C范围内的特征温度为58 K。迄今为止，2.78 μm是室温III-V族激光器的最长发射波长。
We describe room‐temperature 2.78 μm AlGaAsSb/InGaAsSb multiquantum well lasers. Pulsed laser operation was observed at 15 °C with a threshold current of 1.1 A (10 kA/cm2), and a maximum power output of 30 mW, and a maximum differential quantum efficiency of 9%. Lasers operated pulsed up to 60 °C with a characteristic temperature of 58 K over the range of 0–40 °C. To date, 2.78 μm is the longest emission wavelength for a room‐temperature III–V laser.