High quality above 3-mu m mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy

High quality above 3-mu m mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy
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通过分子束外延生长的 3μm 以上高品质中红外 InGaAsSb/AlGaInAsSb 多量子阱

DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
Chinese Physics B
影响因子：
1.7
通讯作者：
Niu Zhi-Chuan
Niu Zhi-Chuan
中科院分区：
物理与天体物理3区
文献类型：
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作者：
Ni Hai-Qiao;Ren Zheng-Wei;He Zhen-Hong;Niu Zhi-Chuan

文献摘要

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