Photoluminescence properties of In0.53Ga0.47As/GaAs0.5Sb0.5 type II quantum well structures lattice-matched to InP
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与InP晶格匹配的In0.53Ga0.47As/GaAs0.5Sb0.5 II型量子阱结构的光致发光特性
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Inoue
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Takasaki;Y. Kawamura;T. Katayama;A. Yamamoto;H. Naito;N. Inoue
