Metastable cubic InN layers on GaAs(001)substrates grown by MBE : Growth condition and crystal structure
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MBE 生长的 GaAs(001) 衬底上的亚稳态立方 InN 层：生长条件和晶体结构
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Onabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Sanorpim;P.Jantawongrit;S.Kuntharin;C.Thanachayanont;T.Nakamura;R.Katayama;K.Onabe
