横磁束構造を用いたダブルギャップ型Zθアクチュエータの研究
横磁束構造を用いたダブルギャップ型Zθアクチュエータの研究
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采用横向磁通结构的双间隙型Zθ执行器研究
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
森田真仁，部矢明，高原一晶，新口昇，平田勝弘
中科院分区：
文献类型：
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作者：
佐藤 裕之;関川 純哉;森田真仁，部矢明，高原一晶，新口昇，平田勝弘
