成長温度と成長速度がInP/GaInAs 界面に及ぼす影響のX 線CTR 散乱法による解析
成長温度と成長速度がInP/GaInAs 界面に及ぼす影響のX 線CTR 散乱法による解析
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X射线CTR散射法分析生长温度和生长速率对InP/GaInAs界面的影响
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
竹田美和
中科院分区：
文献类型：
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作者：
為岡博;森晶子;田渕雅夫;竹田美和
