非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによるSi(111)-(7×7)表面における分極電荷密度の原子スケール観察
非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによるSi(111)-(7×7)表面における分極電荷密度の原子スケール観察
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非接触扫描非线性介电常数电位法原子尺度观察Si(111)-(7×7)表面极化电荷密度
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山末 耕平，長 康雄
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kohei Yamasue;Hirokazu Fukidome;Kazutoshi Funakubo;Maki Suemitsu;and Yasuo Cho;Kohei Yamasue and Yasuo Cho;Kohei Yamasue and Yasuo Cho;山末 耕平，加藤 俊顕，金子 俊郎，長 康雄;山末 耕平，長 康雄;Kohei Yamasue and Yasuo Cho;Kohei Yamasue and Yasuo Cho;Kohei Yamasue and Yasuo Cho;Kohei Yamasue and Yasuo Cho;山末 耕平，長康雄;Kohei Yamasue and Yasuo Cho;山末 耕平，長 康雄
