Point defects induced by physical sputtering in wurtzitep type GaN crystal
Point defects induced by physical sputtering in wurtzitep type GaN crystal
复制标题
wurtzitep型GaN晶体中物理溅射引起的点缺陷
DOI：
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发表时间：
2010
影响因子：
1.5
通讯作者：
K. Harafuji and K. Kawamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Miyoshi;M.;Shibata;T.;Yoshikawa;M.;Sano;T.;Shinmura;T.;Hasenaka;T.;K. Harafuji and K. Kawamura
