Sputter Growth SiGe Films-Epitaxy, Strain and Thermo-electric Properties

Sputter Growth SiGe Films-Epitaxy, Strain and Thermo-electric Properties
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溅射生长 SiGe 薄膜 - 外延、应变和热电性能

DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Abs.3^<rd> Intern.Workshop on New Group IV(Si-Ge-C) Semiconductors
影响因子：
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通讯作者：
T.Hata
T.Hata
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
K.Sasaki;T.Hata

文献摘要

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