SiおよびGe単結晶の直接通電加熱による低温変形メカニズムの解明
SiおよびGe単結晶の直接通電加熱による低温変形メカニズムの解明
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直流加热阐明Si、Ge单晶低温变形机理
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
八戸啓
中科院分区：
文献类型：
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作者：
阪本大樹;下間靖彦;坂倉政明;三浦清貴;八戸啓
