Si 基板上 inverted-rib 構造 Ge 選択成長層における貫通転位密度低減
Si 基板上 inverted-rib 構造 Ge 選択成長層における貫通転位密度低減
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降低Si衬底上倒肋结构Ge选择性生长层的穿透位错密度
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
和田一実
中科院分区：
文献类型：
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作者：
八子基樹;石川靖彦;和田一実
