Summary of ISO/TC 201 Standard: IV ISO 14606:2000—Surface chemical analysis—Sputter depth profiling—Optimization using layered systems as reference materials
Summary of ISO/TC 201 Standard: IV ISO 14606:2000—Surface chemical analysis—Sputter depth profiling—Optimization using layered systems as reference materials
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ISO/TC 201 标准摘要：IV ISO 14606:2000—表面化学分析—溅射深度分析—使用分层系统作为参考材料进行优化
DOI：
10.1002/sia.1192
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发表时间：
2002
影响因子：
1.7
通讯作者：
K. Kajiwara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kajiwara
本国际标准提供了使用适当的单层和多层参考材料优化溅射深度剖面参数的指南，以实现俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和二次离子质谱中仪器设置的最佳深度分辨率。本国际标准不适用于特殊多层体系的使用，如δ掺杂层。版权所有© 2002年约翰威利父子有限公司。
This International Standard gives guidance on the optimization of sputter depth profiling parameters using appropriate single‐layered and multilayered reference materials in order to achieve optimum depth resolution as a function of instrument settings in Auger electron spectroscopy, x‐ray photoelectron spectroscopy and secondary ion mass spectrometry. This International Standard is not intended to cover the use of special multilayered systems such as delta‐doped layers. Copyright © 2002 John Wiley & Sons, Ltd.