Embedding of Ti Nanodots into SiO<sub>x</sub> and Its Impact on Resistance Switching Behaviors
Embedding of Ti Nanodots into SiO<sub>x</sub> and Its Impact on Resistance Switching Behaviors
复制标题
Ti纳米点嵌入SiO<sub>x</sub>及其对电阻开关行为的影响
DOI：
10.1587/transele.e100.c.468
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发表时间：
2017
影响因子：
0.5
通讯作者：
and S. Miyazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kato;A. Ohta;M. Ikeda;K. Makihara;and S. Miyazaki
