New Device Physics of Cross-Gap Electroluminescence in Unipolar-Doped InGaAs/AlAs RTDs
New Device Physics of Cross-Gap Electroluminescence in Unipolar-Doped InGaAs/AlAs RTDs
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单极掺杂 InGaAs/AlAs RTD 中跨隙电致发光的新器件物理
DOI：
10.1109/drc46940.2019.9046392
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Berger, P. R.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Fakhimi, P.;Zhang, W-D.;Growden, T. A.;Brown, E.R.;Droopad, R.;Hansen, K.M.;Berger, P. R.
