GaAs-based buried heterostructure laser incorporating an InGaP opto-electronic confinement layer
GaAs-based buried heterostructure laser incorporating an InGaP opto-electronic confinement layer
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结合 InGaP 光电限制层的 GaAs 基掩埋异质结构激光器
DOI：
10.1109/cleo.2008.4552028
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Groom K
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Groom K
