Characterization of interface electronic states in ALD-Al_2O_3/AlGaN/GaN structures
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ALD-Al_2O_3/AlGaN/GaN 结构中界面电子态的表征
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C.Mizue;Y.Hori;M.Miczek;T.Hashizume
