无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考
无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考
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DOI：
10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.15
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
冯志红
中科院分区：
文献类型：
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作者：
闫海东;梁陪阶;梅云辉;冯志红
无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器 件的无铅化关键互连技术，对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进展与思 考:（1）讨 论 了 电 力 电 子 器 件 封 装 连 接 可 靠 性 的 典 型 风 险 和 原 因 ；（2）介 绍 了 无 压 低 温 连 接 技 术 的 最新发展 ；（3）基于Si基典型功率模块封装向高可靠 SiC功率模块转变过程中在封装结构和材料方面的需求，阐述了无压低温银 烧 结 技 术 在 引 线 型 、平 面 型 和 双 面 冷 却 功 率 模 块 封 装 方 面 的 进 展 ；（4）提 出 无 压 低 温 银 烧 结 技术当前有待解决的技术难题 。