SiCデバイスプロセスの高度化に向けた新規表面・界面改質技術の開発
SiCデバイスプロセスの高度化に向けた新規表面・界面改質技術の開発
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开发新型表面/界面改性技术以推进SiC器件工艺
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
畑山智亮
中科院分区：
文献类型：
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作者：
冬木隆;矢野裕司;畑山智亮
