D.Lee et al.: "Fabrication of 0.12-μm SiGe-Channel MOSFET Containing High Ge Fraction with Ultrashallow Source/Drain Formed by Selective B-Doped SiGe CVD"Appl.Surf.Sci.. Vol.224. 254-259 (2004)
D.Lee et al.: "Fabrication of 0.12-μm SiGe-Channel MOSFET Containing High Ge Fraction with Ultrashallow Source/Drain Formed by Selective B-Doped SiGe CVD"Appl.Surf.Sci.. Vol.224. 254-259 (2004)
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D.Lee 等人：“采用选择性 B 掺杂 SiGe CVD 形成的超浅源极/漏极的 0.12μm SiGe 沟道 MOSFET 的制造”Appl.Surf.Sci.. Vol.254-259（ 2004）
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