Fabrication of InGaN/GaN Nanopillars byNeutral Beam Etching: Towards Directional Micro-LED in Top-down Structure
Fabrication of InGaN/GaN Nanopillars byNeutral Beam Etching: Towards Directional Micro-LED in Top-down Structure
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通过中性束蚀刻制造 InGaN/GaN 纳米柱：迈向自上而下结构的定向 Micro-LED
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kexiong Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kexiong Zhang;Masatomo Sumiya;Meiyong Liao;Yasuo Koide;Liwen Sang;Kexiong Zhang
