Properties of sputtered nitride semiconductors

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溅射氮化物半导体的特性

DOI:
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发表时间:
1988
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
E. Horrigan
E. Horrigan
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
T. Tansley;R. Egan;E. Horrigan

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