Si基板上280nm帯InAlGaN深紫外LEDの実現
Si基板上280nm帯InAlGaN深紫外LEDの実現
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在Si衬底上实现280nm波段InAlGaN深紫外LED
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
藤川紗千恵,平山秀樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Ogura ;M. Okada ;K. Fukutani;藤川紗千恵,平山秀樹
