Feasibility of ZnO:Al/Ag/ZnO:Al multilayer source/drain electrode to achieve fully transparent HfInZnO thin film transistor
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DOI：
10.1016/j.tsf.2015.11.018
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发表时间：
2016-04
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Jun Li;Jianhua Zhang;Xueyin Jiang;Zhilin Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jun Li;Jianhua Zhang;Xueyin Jiang;Zhilin Zhang
