p型SiC半導体/Ti_3SiC_2電極界面の原子構造解析

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p型SiC半导体/Ti_3SiC_2电极界面原子结构分析

DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
斎藤光浩
斎藤光浩
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Chae;SR.;Hiroshi Yamamura;Hiroshi Yamamura;Mitsuhiro Saito;Zhongchang Wang;Zhongchang Wang;斎藤光浩;着本享;斎藤光浩;王中長;斎藤光浩

文献摘要

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