用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿
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DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
叶晗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
侯丽丽;韩勤;李彬;王帅;叶晗
