H.Takahashi, T.Hashizume and H.Hasegawa: ""Novel InP Metal-Insulator-Semiconductor Structure Having an Ultrathin Silicon Interface Control Layer" Appl.Sur.Sci.123/124. 615-618 (1998)
H.Takahashi, T.Hashizume and H.Hasegawa: ""Novel InP Metal-Insulator-Semiconductor Structure Having an Ultrathin Silicon Interface Control Layer" Appl.Sur.Sci.123/124. 615-618 (1998)
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H.Takahashi、T.Hashizume 和 H.Hasekawa：“具有超薄硅界面控制层的新型 InP 金属-绝缘体-半导体结构”Appl.Sur.Sci.123/124.615-618 (1998)
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