極薄酸化膜付きSi上に成長するGe量子ドットに含まれる歪分布の定量的評価
極薄酸化膜付きSi上に成長するGe量子ドットに含まれる歪分布の定量的評価
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超薄氧化膜硅上生长的Ge量子点应变分布的定量评估
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田中信夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
藤林裕明;趙星彪;田中信夫
