Characterization of a pentacene thin-film transistor with a HfO 2/Al2O3 gate insulator
Characterization of a pentacene thin-film transistor with a HfO 2/Al2O3 gate insulator
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具有 HfO 2/Al2O3 栅极绝缘体的并五苯薄膜晶体管的表征
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Cho
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. J. Kim;S. Kang;Dambi Park;K. Chung;M. Noh;C. Whang;M. Cho
