1MV/cm超の高強度THzパルス照射下での半導体GaAsの光学応答

1MV/cm超の高強度THzパルス照射下での半導体GaAsの光学応答
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超过1 MV/cm高强度太赫兹脉冲照射下半导体GaAs的光学响应

DOI:
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发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
篠北啓介
篠北啓介
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
服部健二;久武信太郎;永妻忠夫;Masao Nakamura;篠北啓介

文献摘要

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