Etching Control of HfN Encapsulating Layer for PtHf-Silicide Formation with Dopant Segregation Process
Etching Control of HfN Encapsulating Layer for PtHf-Silicide Formation with Dopant Segregation Process
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通过掺杂剂偏析工艺形成 PtHf-硅化物的 HfN 封装层的蚀刻控制
DOI：
10.1587/transele.2018fup0003
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发表时间：
2019
影响因子：
0.5
通讯作者：
and R. M. D. Mailig
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Ohmi;Y. Tsukamoto;and R. M. D. Mailig
