スルーレート制御アクティブゲート駆動を用いた広電流範囲にわたるSiC-MOSFETターンオフ損失低減の検討
スルーレート制御アクティブゲート駆動を用いた広電流範囲にわたるSiC-MOSFETターンオフ損失低減の検討
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使用压摆率控制有源栅极驱动在宽电流范围内降低 SiC-MOSFET 关断损耗的研究
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
河村篤男
中科院分区：
文献类型：
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作者：
伊藤正悟;Hadi Setiadi;小原秀嶺;下野誠通;河村篤男
