p型4H-SiC中の深い準位における捕獲断面積の温度依存性
p型4H-SiC中の深い準位における捕獲断面積の温度依存性
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p 型 4H-SiC 深部俘获截面的温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大島武
中科院分区：
文献类型：
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作者：
吉原一輝;加藤正史;市村正也;畑山智亮;大島武
