3.Heterojunction based on atomically thin semiconductor and its application
3.Heterojunction based on atomically thin semiconductor and its application
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3.基于原子薄半导体的异质结及其应用
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Tsukagoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Kobayashi,;T. Nabatame;K. Kurishima;T. Onaya;A. Ohi;N. Ikeda;T. Nagata;K. Tsukagoshi;A. Ogura,;K.Tsukagoshi;K.Tsukagoshi;K.Tsukagoshi
